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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NPN, 2A, 30 v - KSC2328A-Y

Transistor NPN, 2A, 30 v - KSC2328A-Y
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1 - 4 1.27fr 1.37fr
5 - 9 1.21fr 1.31fr
10 - 24 1.17fr 1.26fr
25 - 49 1.15fr 1.24fr
50 - 99 1.12fr 1.21fr
100 - 249 1.08fr 1.17fr
250+ 1.05fr 1.14fr
Quantité U.P
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Transistor NPN, 2A, 30 v - KSC2328A-Y. Transistor NPN, 2A, 30 v. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Résistance B: 10. Diode BE: non. Résistance BE: 10. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Type de transistor: NPN. Produit d'origine constructeur Samsung. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 12pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB892. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 12pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB892. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V
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