Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 5.01fr | 5.42fr |
2 - 2 | 4.76fr | 5.15fr |
3 - 4 | 4.61fr | 4.98fr |
5 - 9 | 4.51fr | 4.88fr |
10 - 19 | 4.41fr | 4.77fr |
20 - 29 | 4.26fr | 4.61fr |
30+ | 4.11fr | 4.44fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.01fr | 5.42fr |
2 - 2 | 4.76fr | 5.15fr |
3 - 4 | 4.61fr | 4.98fr |
5 - 9 | 4.51fr | 4.88fr |
10 - 19 | 4.41fr | 4.77fr |
20 - 29 | 4.26fr | 4.61fr |
30+ | 4.11fr | 4.44fr |
Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V - MJ10005. Transistor NPN, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 450V. Courant de collecteur: 20A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO–204AE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 175W. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.6us. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 8V. Produit d'origine constructeur Mospec Semiconductor Corp.. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.
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