Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE3055T

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.99fr	1.07fr
5 - 9	0.94fr	1.02fr
10 - 24	0.89fr	0.96fr
25 - 49	0.84fr	0.91fr
50 - 99	0.82fr	0.89fr
100 - 249	0.84fr	0.91fr
250 - 254	0.84fr	0.91fr

Quantité	U.P
1 - 4	0.99fr	1.07fr
5 - 9	0.94fr	1.02fr
10 - 24	0.89fr	0.96fr
25 - 49	0.84fr	0.91fr
50 - 99	0.82fr	0.89fr
100 - 249	0.84fr	0.91fr
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Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V - MJE3055T. Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. RoHS: oui. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE3055T. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE2955T. Quantité en stock actualisée le 25/04/2025, 20:25.

Documentation technique