Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.07fr | 1.16fr |
5 - 9 | 1.02fr | 1.10fr |
10 - 24 | 0.96fr | 1.04fr |
25 - 49 | 0.91fr | 0.98fr |
50 - 99 | 0.89fr | 0.96fr |
100 - 249 | 0.80fr | 0.86fr |
250 - 308 | 0.76fr | 0.82fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.07fr | 1.16fr |
5 - 9 | 1.02fr | 1.10fr |
10 - 24 | 0.96fr | 1.04fr |
25 - 49 | 0.91fr | 0.98fr |
50 - 99 | 0.89fr | 0.96fr |
100 - 249 | 0.80fr | 0.86fr |
250 - 308 | 0.76fr | 0.82fr |
Transistor IRFZ44N. Transistor. C (in): 1470pF. C (out): 360pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 63us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 160A. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 49A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 94W. Résistance passante Rds On: 0.0175 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.
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