Transistor IRFZ48N

Transistor IRFZ48N. Transistor. C (in): 1970pF. C (out): 470pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 68 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 210A. Id (T=100°C): 32A. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 34 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.