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Transistor PNP, 15A, TO-220, TO-220, 80V - 2N6491

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5 - 9 1.15fr 1.24fr
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Transistor PNP, 15A, TO-220, TO-220, 80V - 2N6491. Transistor PNP, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6488. Quantité en stock actualisée le 19/04/2025, 23:25.

Produits équivalents :

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Transistor PNP, 15A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 15A. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD911
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Transistor PNP, 15A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 15A. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD911
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