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Transistor 2SA1209

Transistor 2SA1209
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Transistor 2SA1209. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 140mA. Marquage sur le boîtier: A1209. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2911. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

Documentation technique

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