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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V - 2SB1560

Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V - 2SB1560
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2 - 2 5.27fr 5.70fr
3 - 4 4.99fr 5.39fr
5 - 9 4.71fr 5.09fr
10 - 19 4.60fr 4.97fr
20 - 21 4.49fr 4.85fr
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Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V - 2SB1560. Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L. Gain hFE maxi: 5000. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 08:25.

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MN2488-MP1620

MN2488-MP1620

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO...
MN2488-MP1620
Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: paire de transistors complémentaires. Gain hFE mini: 5000. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP & NPN. Diode BE: non. Diode CE: non
MN2488-MP1620
Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: paire de transistors complémentaires. Gain hFE mini: 5000. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP & NPN. Diode BE: non. Diode CE: non
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2SB1560-SKN

2SB1560-SKN

Transistor PNP, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîti...
2SB1560-SKN
Transistor PNP, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN ( MT-100 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Transistor Darlington?: 1. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Ic(puls): A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Diode BE: non. Diode CE: non
2SB1560-SKN
Transistor PNP, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN ( MT-100 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Transistor Darlington?: 1. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Ic(puls): A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Diode BE: non. Diode CE: non
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