Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.80fr | 0.86fr |
5 - 9 | 0.76fr | 0.82fr |
10 - 24 | 0.72fr | 0.78fr |
25 - 49 | 0.68fr | 0.74fr |
50 - 99 | 0.67fr | 0.72fr |
100 - 249 | 0.65fr | 0.70fr |
250 - 601 | 0.62fr | 0.67fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.80fr | 0.86fr |
5 - 9 | 0.76fr | 0.82fr |
10 - 24 | 0.72fr | 0.78fr |
25 - 49 | 0.68fr | 0.74fr |
50 - 99 | 0.67fr | 0.72fr |
100 - 249 | 0.65fr | 0.70fr |
250 - 601 | 0.62fr | 0.67fr |
Transistor 2SB861. Transistor. Résistance B: 10. Résistance BE: 47. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: transistor PNP. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1138. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.
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