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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NPN, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - 2SC2412

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Transistor NPN, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - 2SC2412. Transistor NPN, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 180. Remarque: sérigraphie/code CMS BQ. Marquage sur le boîtier: BQ. Nombre de connexions: 3. Température: +155°C. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1037. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 400mV. Produit d'origine constructeur ROHM. Quantité en stock actualisée le 06/07/2025, 17:25.

Documentation technique

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Transistor NPN, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V, SOT23, 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Boîtier: SOT23. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: NPN. Puissance: 0.25W. Tension base / collecteur VCBO: 50V. Type de montage: SMD. Bande passante MHz: 100MHz. Gain hFE min.: 200. Courant maximum 1: 0.1A. Tension IGBT VRSM maxi: 0.1A. Information: 0.33W. Série: BC. MSL: composant monté en surface (CMS)
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