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Transistor 2SC3298-PMC

Transistor 2SC3298-PMC
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1 - 4 1.81fr 1.96fr
5 - 9 1.72fr 1.86fr
10 - 24 1.63fr 1.76fr
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Transistor 2SC3298-PMC. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Boîtier: TO-220FP. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1306. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 23:25.

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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE ma...
2SC5171
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 2A. Marquage sur le boîtier: C5171. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type'. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.16V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1930. Fonction: TV, SL. Diode BE: non. Diode CE: non
2SC5171
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 2A. Marquage sur le boîtier: C5171. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type'. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.16V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1930. Fonction: TV, SL. Diode BE: non. Diode CE: non
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