Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.07fr | 1.16fr |
5 - 9 | 1.01fr | 1.09fr |
10 - 24 | 0.96fr | 1.04fr |
25 - 49 | 0.91fr | 0.98fr |
50 - 57 | 0.89fr | 0.96fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.07fr | 1.16fr |
5 - 9 | 1.01fr | 1.09fr |
10 - 24 | 0.96fr | 1.04fr |
25 - 49 | 0.91fr | 0.98fr |
50 - 57 | 0.89fr | 0.96fr |
Transistor 2SD1623S. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 4A. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SB1123S. Marquage sur le boîtier: DF. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS DF. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 12:25.
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