Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.73fr | 0.79fr |
5 - 9 | 0.69fr | 0.75fr |
10 - 15 | 0.66fr | 0.71fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.73fr | 0.79fr |
5 - 9 | 0.69fr | 0.75fr |
10 - 15 | 0.66fr | 0.71fr |
Transistor 2SD1802. Transistor. C (out): 25pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation à haute intensité. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 35. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 15W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB1202. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 10:25.
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