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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors

Transistor 2SD2396

Transistor 2SD2396
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.98fr 2.14fr
5 - 9 1.88fr 2.03fr
10 - 24 1.78fr 1.92fr
25 - 49 1.68fr 1.82fr
50 - 99 1.45fr 1.57fr
100 - 107 1.42fr 1.54fr
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Transistor 2SD2396. Transistor. C (out): 55pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.

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Produits équivalents :

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2SC4495

2SC4495

Transistor. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MH...
2SC4495
Transistor. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Fonction: High hFE, LOW Vce(sat). Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Technologie: Transistor planaire triple diffusion NPN. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): FM20 (TO220F). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non
2SC4495
Transistor. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Fonction: High hFE, LOW Vce(sat). Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Technologie: Transistor planaire triple diffusion NPN. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): FM20 (TO220F). Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non
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