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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V - 2SD2396

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V - 2SD2396
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1 - 4 1.98fr 2.14fr
5 - 9 1.88fr 2.03fr
10 - 24 1.82fr 1.97fr
25 - 49 1.78fr 1.92fr
50 - 99 1.54fr 1.66fr
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V - 2SD2396. Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 55pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V. Produit d'origine constructeur ROHM. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 01:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

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2SC4495

2SC4495

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. BoÃ...
2SC4495
Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): FM20 (TO220F). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 30pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Fonction: High hFE, LOW Vce(sat). Dissipation de puissance maxi: 25W. Technologie: Transistor planaire triple diffusion NPN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V
2SC4495
Transistor NPN, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): FM20 (TO220F). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 30pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Fonction: High hFE, LOW Vce(sat). Dissipation de puissance maxi: 25W. Technologie: Transistor planaire triple diffusion NPN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V
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