Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.92fr | 3.16fr |
5 - 9 | 2.77fr | 2.99fr |
10 - 24 | 2.63fr | 2.84fr |
25 - 49 | 2.48fr | 2.68fr |
50 - 99 | 2.42fr | 2.62fr |
100 - 249 | 2.36fr | 2.55fr |
250+ | 2.28fr | 2.46fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.92fr | 3.16fr |
5 - 9 | 2.77fr | 2.99fr |
10 - 24 | 2.63fr | 2.84fr |
25 - 49 | 2.48fr | 2.68fr |
50 - 99 | 2.42fr | 2.62fr |
100 - 249 | 2.36fr | 2.55fr |
250+ | 2.28fr | 2.46fr |
Transistor 2SD2499. Transistor. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.
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