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Transistor 2SD2499

Transistor 2SD2499
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1 - 4 2.92fr 3.16fr
5 - 9 2.77fr 2.99fr
10 - 24 2.63fr 2.84fr
25 - 49 2.48fr 2.68fr
50 - 99 2.42fr 2.62fr
100 - 249 2.36fr 2.55fr
250+ 2.28fr 2.46fr
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Transistor 2SD2499. Transistor. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.

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Quantité en stock : 55
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Transistor. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: oui
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Transistor. Résistance BE: 40 Ohms. C (out): 95pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: CTV-HA. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: oui
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