Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.94fr | 1.02fr |
5 - 9 | 0.89fr | 0.96fr |
10 - 24 | 0.84fr | 0.91fr |
25 - 49 | 0.80fr | 0.86fr |
50 - 71 | 0.78fr | 0.84fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.94fr | 1.02fr |
5 - 9 | 0.89fr | 0.96fr |
10 - 24 | 0.84fr | 0.91fr |
25 - 49 | 0.80fr | 0.86fr |
50 - 71 | 0.78fr | 0.84fr |
Transistor 2SD667. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Remarque: 9mm. Marquage sur le boîtier: D667. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon NPN Epitaxial. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB647. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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