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Transistor 2SD880-PMC

Transistor 2SD880-PMC
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Transistor 2SD880-PMC. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 09:25.

Produits équivalents :

Quantité en stock : 80
BD243C-STM

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Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Transistor Darlington...
BD243C-STM
Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistor de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD244C. Diode BE: non. Diode CE: non
BD243C-STM
Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistor de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD244C. Diode BE: non. Diode CE: non
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BD243CG

BD243CG

Transistor. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance...
BD243CG
Transistor. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Puissance: 65W. Fréquence maxi: 3MHz. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V
BD243CG
Transistor. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Puissance: 65W. Fréquence maxi: 3MHz. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V
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BD243C-CDIL

BD243C-CDIL

Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtie...
BD243C-CDIL
Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistor de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD244C. Diode BE: non. Diode CE: non
BD243C-CDIL
Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistor de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD244C. Diode BE: non. Diode CE: non
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