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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V - 2SK1358

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Transistor canal N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V - 2SK1358. Transistor canal N, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1300pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor à effet de champ MOS II.5. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 10:25.

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Transistor canal N, 9A, 100uA, 1.1 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2040pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 1.6us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Speed, H.V. Id(imp): 27A. Marquage sur le boîtier: K2611. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 95 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui
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