Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.26fr | 0.28fr |
10 - 24 | 0.25fr | 0.27fr |
25 - 49 | 0.24fr | 0.26fr |
50 - 99 | 0.22fr | 0.24fr |
100 - 249 | 0.22fr | 0.24fr |
250 - 499 | 0.21fr | 0.23fr |
500 - 815 | 0.20fr | 0.22fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.26fr | 0.28fr |
10 - 24 | 0.25fr | 0.27fr |
25 - 49 | 0.24fr | 0.26fr |
50 - 99 | 0.22fr | 0.24fr |
100 - 249 | 0.22fr | 0.24fr |
250 - 499 | 0.21fr | 0.23fr |
500 - 815 | 0.20fr | 0.22fr |
Transistor AO3400A. Transistor. C (in): 630pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 16.8 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 25A. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (maxi): 5.7A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Résistance passante Rds On: 22m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21.5 ns. Td(on): 3.2 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 12V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 09:25.
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