Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.29fr | 1.39fr |
5 - 9 | 1.22fr | 1.32fr |
10 - 24 | 1.16fr | 1.25fr |
25 - 49 | 1.09fr | 1.18fr |
50 - 99 | 1.07fr | 1.16fr |
100 - 146 | 1.04fr | 1.12fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.29fr | 1.39fr |
5 - 9 | 1.22fr | 1.32fr |
10 - 24 | 1.16fr | 1.25fr |
25 - 49 | 1.09fr | 1.18fr |
50 - 99 | 1.07fr | 1.16fr |
100 - 146 | 1.04fr | 1.12fr |
Transistor AOD403. Transistor. C (in): 4360pF. C (out): 1050pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 39.5 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 0.01uA. Dissipation de puissance maxi: 100W. Résistance passante Rds On: 5.1M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 51 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.
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