Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.0550fr | 0.0595fr |
10 - 24 | 0.0523fr | 0.0565fr |
25 - 49 | 0.0495fr | 0.0535fr |
50 - 99 | 0.0468fr | 0.0506fr |
100 - 249 | 0.0440fr | 0.0476fr |
250 - 499 | 0.0376fr | 0.0406fr |
500 - 17530 | 0.0351fr | 0.0379fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.0550fr | 0.0595fr |
10 - 24 | 0.0523fr | 0.0565fr |
25 - 49 | 0.0495fr | 0.0535fr |
50 - 99 | 0.0468fr | 0.0506fr |
100 - 249 | 0.0440fr | 0.0476fr |
250 - 499 | 0.0376fr | 0.0406fr |
500 - 17530 | 0.0351fr | 0.0379fr |
Transistor BC546B. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-92. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC556B. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 14:25.
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