Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.38fr | 0.41fr |
5 - 9 | 0.36fr | 0.39fr |
10 - 24 | 0.34fr | 0.37fr |
25 - 49 | 0.33fr | 0.36fr |
50 - 99 | 0.38fr | 0.41fr |
100 - 149 | 0.39fr | 0.42fr |
150 - 995 | 0.38fr | 0.41fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.38fr | 0.41fr |
5 - 9 | 0.36fr | 0.39fr |
10 - 24 | 0.34fr | 0.37fr |
25 - 49 | 0.33fr | 0.36fr |
50 - 99 | 0.38fr | 0.41fr |
100 - 149 | 0.39fr | 0.42fr |
150 - 995 | 0.38fr | 0.41fr |
Transistor BC557C. Transistor. Boîtier: TO-92. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -50V. C (in): 10pF. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.65V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC547C. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.
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