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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors

Transistor BC636

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Lot de 10

Transistor BC636. Transistor. C (in): 110pF. C (out): 9pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Date de production: 1997.04. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.

Documentation technique

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