Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.79fr | 0.85fr |
2 - 2 | 0.75fr | 0.81fr |
3 - 4 | 0.71fr | 0.77fr |
5 - 9 | 0.67fr | 0.72fr |
10 - 24 | 0.63fr | 0.68fr |
25 - 49 | 0.59fr | 0.64fr |
50 - 122 | 0.55fr | 0.59fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.79fr | 0.85fr |
2 - 2 | 0.75fr | 0.81fr |
3 - 4 | 0.71fr | 0.77fr |
5 - 9 | 0.67fr | 0.72fr |
10 - 24 | 0.63fr | 0.68fr |
25 - 49 | 0.59fr | 0.64fr |
50 - 122 | 0.55fr | 0.59fr |
Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 45V - BC636. Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (in): 110pF. C (out): 9pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Date de production: 1997.04. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 11:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.