Transistor PNP, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA - BC856B

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1 - 1	0.68fr	0.74fr
2 - 3	0.65fr	0.70fr
4 - 9	0.61fr	0.66fr
10 - 19	0.58fr	0.63fr
20 - 39	0.55fr	0.59fr
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Lot de 25

Transistor PNP, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA - BC856B. Transistor PNP, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Courant de collecteur: 100mA. Equivalences: ON Semiconductor BC856BLT1G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. Diode BE: non. C (out): 4.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE mini: 220. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3B. Produit d'origine constructeur Nexperia. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

Documentation technique

Transistor PNP, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA - BC856B

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