Transistor BD139

Quantité	HT	TTC
1 - 9	0.34fr	0.37fr
10 - 24	0.32fr	0.35fr
25 - 49	0.31fr	0.34fr
50 - 99	0.27fr	0.29fr
100 - 249	0.26fr	0.28fr
250 - 499	0.25fr	0.27fr
500 - 2537	0.24fr	0.26fr

Quantité	U.P
1 - 9	0.34fr	0.37fr
10 - 24	0.32fr	0.35fr
25 - 49	0.31fr	0.34fr
50 - 99	0.27fr	0.29fr
100 - 249	0.26fr	0.28fr
250 - 499	0.25fr	0.27fr
500 - 2537	0.24fr	0.26fr

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Transistor BD139. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD139. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Courant de collecteur: 1.5A. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.

Documentation technique