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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors

Transistor BD241C

Transistor BD241C
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Quantité HT TTC
1 - 4 0.51fr 0.55fr
5 - 9 0.48fr 0.52fr
10 - 24 0.46fr 0.50fr
25 - 49 0.43fr 0.46fr
50 - 99 0.42fr 0.45fr
100 - 249 0.41fr 0.44fr
250 - 1876471 0.39fr 0.42fr
Quantité U.P
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Quantité en stock : 1876471
Lot de 1

Transistor BD241C. Transistor. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 3A. Puissance: 40W. Fréquence maxi: 3MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD242C. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 115
TIP32C

TIP32C

Transistor. C (out): 160pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: PNP TRANS 100V...
TIP32C
Transistor. C (out): 160pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: PNP TRANS 100V 3. Date de production: 201448. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP31C. Diode BE: non. Diode CE: non
TIP32C
Transistor. C (out): 160pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: PNP TRANS 100V 3. Date de production: 201448. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP31C. Diode BE: non. Diode CE: non
Lot de 1
0.67fr TTC
(0.62fr HT)
0.67fr
Quantité en stock : 267
BD241C-ST

BD241C-ST

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-...
BD241C-ST
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD242C. Diode BE: non. Diode CE: non
BD241C-ST
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD242C. Diode BE: non. Diode CE: non
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