Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.47fr | 0.51fr |
5 - 9 | 0.45fr | 0.49fr |
10 - 24 | 0.43fr | 0.46fr |
25 - 49 | 0.40fr | 0.43fr |
50 - 99 | 0.39fr | 0.42fr |
100 - 249 | 0.36fr | 0.39fr |
250 - 3069 | 0.34fr | 0.37fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.47fr | 0.51fr |
5 - 9 | 0.45fr | 0.49fr |
10 - 24 | 0.43fr | 0.46fr |
25 - 49 | 0.40fr | 0.43fr |
50 - 99 | 0.39fr | 0.42fr |
100 - 249 | 0.36fr | 0.39fr |
250 - 3069 | 0.34fr | 0.37fr |
Transistor NPN, 4A, 100V, TO-126, TO-126, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD681. Transistor NPN, 4A, 100V, TO-126, TO-126, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Boîtier: TO-126. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Diode intégrée: oui. Puissance: 40W. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 750. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD682. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 08:25.
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