Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.0803fr | 0.0868fr |
10 - 24 | 0.0763fr | 0.0825fr |
25 - 49 | 0.0722fr | 0.0780fr |
50 - 99 | 0.0682fr | 0.0737fr |
100 - 249 | 0.0642fr | 0.0694fr |
250 - 499 | 0.0602fr | 0.0651fr |
500 - 4023 | 0.0562fr | 0.0608fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.0803fr | 0.0868fr |
10 - 24 | 0.0763fr | 0.0825fr |
25 - 49 | 0.0722fr | 0.0780fr |
50 - 99 | 0.0682fr | 0.0737fr |
100 - 249 | 0.0642fr | 0.0694fr |
250 - 499 | 0.0602fr | 0.0651fr |
500 - 4023 | 0.0562fr | 0.0608fr |
Transistor BF199. Transistor. C (out): 3.5pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1100 MHz. Fonction: TV-IF. Courant de collecteur: 100mA. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 40V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Vebo: 4 v. Résistance B: transistor NPN. Résistance BE: RF-POWER. C (in): 25V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.
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