Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.51fr | 0.55fr |
10 - 24 | 0.49fr | 0.53fr |
25 - 49 | 0.46fr | 0.50fr |
50 - 99 | 0.44fr | 0.48fr |
100 - 249 | 0.43fr | 0.46fr |
250 - 499 | 0.42fr | 0.45fr |
500 - 1485 | 0.40fr | 0.43fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.51fr | 0.55fr |
10 - 24 | 0.49fr | 0.53fr |
25 - 49 | 0.46fr | 0.50fr |
50 - 99 | 0.44fr | 0.48fr |
100 - 249 | 0.43fr | 0.46fr |
250 - 499 | 0.42fr | 0.45fr |
500 - 1485 | 0.40fr | 0.43fr |
Transistor BF545C. Transistor. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Type de canal: N. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 25mA. Idss (min): 12mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 22*. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 12mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 7.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.
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