Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.17fr | 1.26fr |
5 - 9 | 1.11fr | 1.20fr |
10 - 24 | 1.05fr | 1.14fr |
25 - 49 | 0.99fr | 1.07fr |
50 - 99 | 0.97fr | 1.05fr |
100 - 249 | 0.93fr | 1.01fr |
250 - 2953 | 0.85fr | 0.92fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.17fr | 1.26fr |
5 - 9 | 1.11fr | 1.20fr |
10 - 24 | 1.05fr | 1.14fr |
25 - 49 | 0.99fr | 1.07fr |
50 - 99 | 0.97fr | 1.05fr |
100 - 249 | 0.93fr | 1.01fr |
250 - 2953 | 0.85fr | 0.92fr |
Transistor BS250P. Transistor. C (in): 60pF. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 3A. Id (T=25°C): 0.23A. Idss (maxi): 500nA. Idss (min): -0.23A. Dissipation de puissance maxi: 0.7W. Résistance passante Rds On: 14 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 45V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.
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