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Transistor canal N, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v - BSP100

Transistor canal N, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v - BSP100
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Quantité HT TTC
1 - 4 0.78fr 0.84fr
5 - 9 0.74fr 0.80fr
10 - 24 0.71fr 0.77fr
25 - 49 0.67fr 0.72fr
50 - 99 0.65fr 0.70fr
100 - 172 0.63fr 0.68fr
Quantité U.P
1 - 4 0.78fr 0.84fr
5 - 9 0.74fr 0.80fr
10 - 24 0.71fr 0.77fr
25 - 49 0.67fr 0.72fr
50 - 99 0.65fr 0.70fr
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Transistor canal N, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v - BSP100. Transistor canal N, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Id (T=100°C): 4.4A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100nA. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 250pF. C (out): 88pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 24A. Idss (min): 10nA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 8.3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 21 ns. Td(on): 6 ns. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 17:25.

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