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Transistor BSS123

Transistor BSS123
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Quantité (Lot de 10) HT TTC
1 - 1 0.31fr 0.34fr
2 - 2 0.30fr 0.32fr
3 - 4 0.28fr 0.30fr
5 - 9 0.27fr 0.29fr
10 - 24 0.25fr 0.27fr
25 - 49 0.24fr 0.26fr
50 - 10695 0.22fr 0.24fr
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Lot de 10

Transistor BSS123. Transistor. C (in): 23pF. C (out): 6pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Id(imp): 600mA. Id (T=25°C): 150mA. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Equivalences: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Résistance passante Rds On: 3.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.

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Quantité en stock : 2975
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Transistor. C (in): 20pF. C (out): 9pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Id(imp): 680mA. Id (T=25°C): 170mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Equivalences: BSS123-7-F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Mode d'amélioration du niveau logique transistor à effet de champ. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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Transistor. C (in): 20pF. C (out): 9pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Id(imp): 680mA. Id (T=25°C): 170mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Equivalences: BSS123-7-F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Mode d'amélioration du niveau logique transistor à effet de champ. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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