Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.75fr | 1.89fr |
5 - 9 | 1.67fr | 1.81fr |
10 - 24 | 1.58fr | 1.71fr |
25 - 49 | 1.49fr | 1.61fr |
50 - 56 | 1.46fr | 1.58fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.75fr | 1.89fr |
5 - 9 | 1.67fr | 1.81fr |
10 - 24 | 1.58fr | 1.71fr |
25 - 49 | 1.49fr | 1.61fr |
50 - 56 | 1.46fr | 1.58fr |
Transistor BUL216. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 6A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 9V. Fonction: commutation rapide haute tension, pour alimentations à découpage. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.
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