Transistor BUT18AF

Quantité	HT	TTC
1 - 4	0.91fr	0.98fr
5 - 9	0.87fr	0.94fr
10 - 24	0.82fr	0.89fr
25 - 31	0.78fr	0.84fr

Quantité	U.P
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Transistor BUT18AF. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 12A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 33W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: haute tension, haute vitesse. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.

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