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Diode BYV32E-200

Diode BYV32E-200
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Diode BYV32E-200. Diode. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. IF(AV): 10A. IFSM: 125A. Marquage sur le boîtier: BYV32E-200. Equivalences: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): SOT78 (TO-220AB). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.

Documentation technique

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Diode. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. IRM (max): 250uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ifsm 100Ap
MUR1620CT
Diode. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. IRM (max): 250uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ifsm 100Ap
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Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Spec info: Ifsm 100Ap
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Diode. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Structure diélectrique: c...
BYV32E-200
Diode. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. IF(AV): 10A. IFSM: 125A. Marquage sur le boîtier: BYV32E-200. Equivalences: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): SOT78 (TO-220AB). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Spec info: Ifsm 125A t=10ms
BYV32E-200
Diode. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. IF(AV): 10A. IFSM: 125A. Marquage sur le boîtier: BYV32E-200. Equivalences: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): SOT78 (TO-220AB). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Spec info: Ifsm 125A t=10ms
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Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2dB. Structure diélectrique: Cathode commune. Trr Diode (Min.): 35ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Marquage sur le boîtier: BYV32-200. Nombre de connexions: 3 pièces. ROHS: Oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.01V. Tension de seuil Vf (min): 0.74V. VRRM: 200V
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Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2dB. Structure diélectrique: Cathode commune. Trr Diode (Min.): 35ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Marquage sur le boîtier: BYV32-200. Nombre de connexions: 3 pièces. ROHS: Oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.01V. Tension de seuil Vf (min): 0.74V. VRRM: 200V
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