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Circuit intégré mémoire AT45DB081E-SSHN-B

Circuit intégré mémoire AT45DB081E-SSHN-B
Quantité HT TTC
1 - 1 6.33fr 6.84fr
2 - 2 6.01fr 6.50fr
3 - 4 5.82fr 6.29fr
5 - 9 5.07fr 5.48fr
10 - 19 4.95fr 5.35fr
20 - 29 4.42fr 4.78fr
30 - 81 4.26fr 4.61fr
Quantité U.P
1 - 1 6.33fr 6.84fr
2 - 2 6.01fr 6.50fr
3 - 4 5.82fr 6.29fr
5 - 9 5.07fr 5.48fr
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Quantité en stock : 81
Lot de 1

Circuit intégré mémoire AT45DB081E-SSHN-B. Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FLASH - NOR. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: 200ns. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a. Produit d'origine constructeur Adesto. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

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