Mémoires divers

Circuit intégré mémoire. Marquage sur le boîtier: 24C1024. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Interface: I2C. Temps d'accès: 900ns. Tension d'alimentation: 2.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP8. Série: n/a. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Interface: I2C. Temps d'accès: 900ns. Tension d'alimentation: 2.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Série: n/a. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Interface: I2C. Temps d'accès: 900ns. Tension d'alimentation: 2.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP8. Série: n/a. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Interface: I2C. Temps d'accès: 900ns. Tension d'alimentation: 2.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Série: n/a. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

ROHS: Oui. Boîtier: SOT235

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Interface: I2C. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: 3500ns. Temps de cycle d'écriture: n/a. Tension d'alimentation: 1.7-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SOT23-5. Particularités: MAC Address. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Equivalences: M24C01-WMN6TP. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: CB3335Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Equivalences: M24C02-WMN6TP. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6V

ROHS: Oui. Boîtier: DIP8. Montage/installation: THT. Tension de fonctionnement: 4.5...5.5V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire EEPROM. Interface: I2C. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Organisation de la mémoire: 256x8bit. Fréquence d'horloge: 400kHz. Capacité mémoire: 2kbit. Temps d'accès: 1ms. Type d'interface: interface série

ROHS: nem. Boîtier: SO8. Montage/installation: SMD. Tension de fonctionnement: 4.5...5.5V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire. Interface: I2C. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Organisation de la mémoire: 256x8bit. Fréquence d'horloge: 400kHz. Capacité mémoire: 2kbit. Temps d'accès: 1ms. Nombre de cycles: 1M, 1000000

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5V...5.5V. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSSOP-8 ( 3x4.4mm )

Circuit intégré mémoire. Marquage sur le boîtier: M24C04-W. Equivalences: M24C04-WMN6TP. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6V

Circuit intégré mémoire. Remarque: Samsung TV CK14F1. Remarque: IC 902. Remarque: CK14F1

Circuit intégré mémoire. Marquage sur le boîtier: 24C08W6. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6V

Circuit intégré mémoire. Equivalences: M24C08-WMN6TP. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6V

Circuit intégré mémoire. Remarque: CW28C75V. Remarque: 24C16WP (L51DC)

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: 400kHz Fast-mode. Remarque: 100kHz Standard-mode. Marquage sur le boîtier: 24C32WP. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 5.5V

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Remarque: 400kHz Fast-mode. Remarque: 100kHz Standard-mode. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 5.5V

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 4000. Remarque: temps d'accès 900ns. Marquage sur le boîtier: 24C64WD / 464WK. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSSOP-8 ( 3x4.4mm ). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Marquage sur le boîtier: 24C64WP. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: 1.7V...5.5V. Remarque: max. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8