Mémoires divers
UPD41264C-12
Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: ...
Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP24S. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 24. Type de mémoire: Dualport RAM. Famille de circuits mémoire: uPD41. Taille de la mémoire [octet]: 256 Kbit. Configuration de la mémoire: 256K x 1-bit. Signal d'horloge max (MHz): 120ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C
Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP24S. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 24. Type de mémoire: Dualport RAM. Famille de circuits mémoire: uPD41. Taille de la mémoire [octet]: 256 Kbit. Configuration de la mémoire: 256K x 1-bit. Signal d'horloge max (MHz): 120ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C
W25Q16JVSSIM-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cy...
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
W25Q16JVSSIQ
ROHS: Oui. Boîtier: SO8, SO8-W. Montage/installation: SMD. Tension de fonctionnement: 2.7...3.6V. T...
ROHS: Oui. Boîtier: SO8, SO8-W. Montage/installation: SMD. Tension de fonctionnement: 2.7...3.6V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire. Interface: SPI. Capacité mémoire: 16Mbit. Fréquence de fonctionnement: 104MHz. Type de mémoire: mémoire Flash à bus série
ROHS: Oui. Boîtier: SO8, SO8-W. Montage/installation: SMD. Tension de fonctionnement: 2.7...3.6V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire. Interface: SPI. Capacité mémoire: 16Mbit. Fréquence de fonctionnement: 104MHz. Type de mémoire: mémoire Flash à bus série
W25Q16JVSSIQ-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cy...
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
W25Q32JVSSIM-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cy...
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
W25Q64JVSSIM-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cy...
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
W25Q64JVSSIQ-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cy...
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
W25Q80DVSSIG
ROHS: Oui. Boîtier: SO8, SO8-W. Montage/installation: SMD. Tension de fonctionnement: 2.7...3.6V. T...
ROHS: Oui. Boîtier: SO8, SO8-W. Montage/installation: SMD. Tension de fonctionnement: 2.7...3.6V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire. Interface: SPI. Capacité mémoire: 8Mbit. Fréquence de fonctionnement: 104MHz. Type de mémoire: mémoire Flash à bus série
ROHS: Oui. Boîtier: SO8, SO8-W. Montage/installation: SMD. Tension de fonctionnement: 2.7...3.6V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire. Interface: SPI. Capacité mémoire: 8Mbit. Fréquence de fonctionnement: 104MHz. Type de mémoire: mémoire Flash à bus série
XLS24C04P
Circuit intégré mémoire. Remarque: SAMSUNG. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montag...
Circuit intégré mémoire. Remarque: SAMSUNG. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
Circuit intégré mémoire. Remarque: SAMSUNG. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
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