Mémoires divers

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 12. Date de production: 2015/03. Remarque: 64kbit TIMEKEEPER SRAM 5V 10%. Remarque: batterie/quartz. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28. VCC: 4.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de circuits mémoire: M48Z. Taille de la mémoire [octet]: 2 KByte. Configuration de la mémoire: 2K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.75V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Fonction: oui. Nombre de connexions: 24. Mémoire RAM: SRAM 16Kbit (2Kx8). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Température de fonctionnement: 0...+70°C. VCC: 4.75...5.5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 12. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Nombre de connexions: 28. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. VCC: 4.5-5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: Vcc 4.5V...5.5V. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Boîtier (selon fiche technique): PC DIP-28

Circuit intégré mémoire. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Spec info: interface SPI. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Série: 93C76. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Fréquence de fonctionnement: 2 MHz. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension d'alimentation (op): 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Fonction: Circuit intégré de mémoire EEPROM. Remarque: high speed clock. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Longueur d'onde (dominante): Circuit intégré de mémoire EEPROM. Equivalences: M95320-WMN6TP. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: 32-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC

Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC

Circuit intégré mémoire. Fonction: +12V, 30mA-output, chargepump DC-DC converter. Remarque: tension d'entrée 4.5V...5V. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: 0...+70°C

Circuit intégré mémoire. Remarque: MEMORY. Remarque: TV ULTRAVOX

Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire FLASH à accès série. CMOS. Nombre de connexions: 8. Dimensions: 4.9x3.9mm. Signal d'horloge: 86 MHz. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP8L (150mil). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V

Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire FLASH à accès série. CMOS. Nombre de connexions: 8. Dimensions: 5.23x5.28mm. Signal d'horloge: 86 MHz. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP8L (200mil). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V

Circuit intégré mémoire. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Fonction: spec. Nombre de connexions: 8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOIC-8

Circuit intégré mémoire. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Fonction: circuit périphérique horloge, calendrier, signal, circuit RTC. Remarque: 12&24h. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Fonction: circuit périphérique horloge, calendrier, signal, circuit RTC. Remarque: 12&24h. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Circuit intégré mémoire. Remarque: VDD 2.5V...6V

ROHS: Oui. Boîtier: TSOP48

Circuit intégré mémoire. Courant maxi: 110mA. Remarque: lowest address sector protected. Remarque: Page Mode Flash Memory featuring. Nombre de connexions: 64. Dimensions: 11x13mm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Technologie de traitement MirrorBit. Boîtier: BGA. Boîtier (selon fiche technique): 'LAA064 Fortified Ball Grid Array'. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...+3.6V. Tension d'alimentation (op): 4 v

Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5V...5.5V. Remarque: Dual Mode Serial Eeprom. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8