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W25Q64JVSSIQ-TR

W25Q64JVSSIQ-TR

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cy...
W25Q64JVSSIQ-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
W25Q64JVSSIQ-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
Lot de 1
1.99fr TTC
(1.84fr HT)
1.99fr
Quantité en stock : 4
XLS24C04P

XLS24C04P

Circuit intégré mémoire. Remarque: SAMSUNG. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montag...
XLS24C04P
Circuit intégré mémoire. Remarque: SAMSUNG. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
XLS24C04P
Circuit intégré mémoire. Remarque: SAMSUNG. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
Lot de 1
3.65fr TTC
(3.38fr HT)
3.65fr

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