Circuit intégré mémoire S29GL128P90FFIR20
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 14.28fr | 15.44fr |
| 2 - 2 | 13.57fr | 14.67fr |
| 3 - 4 | 13.28fr | 14.36fr |
| 5 - 9 | 12.85fr | 13.89fr |
| 10 - 14 | 12.57fr | 13.59fr |
| 15 - 19 | 12.14fr | 13.12fr |
| 20 - 25 | 11.71fr | 12.66fr |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 14.28fr | 15.44fr |
| 2 - 2 | 13.57fr | 14.67fr |
| 3 - 4 | 13.28fr | 14.36fr |
| 5 - 9 | 12.85fr | 13.89fr |
| 10 - 14 | 12.57fr | 13.59fr |
| 15 - 19 | 12.14fr | 13.12fr |
| 20 - 25 | 11.71fr | 12.66fr |
Circuit intégré mémoire S29GL128P90FFIR20. Circuit intégré mémoire. Courant maxi: 110mA. Remarque: lowest address sector protected. Remarque: Page Mode Flash Memory featuring. Nombre de connexions: 64. Dimensions: 11x13mm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Technologie de traitement MirrorBit. Boîtier: BGA. Boîtier (selon fiche technique): 'LAA064 Fortified Ball Grid Array'. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...+3.6V. Tension d'alimentation (op): 4 v. Produit d'origine constructeur Cypress Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 03/07/2025, 16:25.
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