Mémoires divers

Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO16. Configuration: composant monté en surface (CMS). RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Nombre de bornes: 16. Type de mémoire: Mémoire analogique d'enregistrement audio. Famille de circuits mémoire: ISD. Taille de la mémoire [octet]: 40 sec. Configuration de la mémoire: 1 x 40s. Type d'interface: I/O-pin. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 12kHz. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Boîtier (norme JEDEC): SO

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP28. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 28. Type de mémoire: Mémoire analogique d'enregistrement audio. Famille de circuits mémoire: ISD. Taille de la mémoire [octet]: 60 sec. Configuration de la mémoire: 1 x 60s. Type d'interface: bus série SPI. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 12kHz. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Circuit intégré mémoire. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-1. Remarque: plage de température commerciale

Circuit intégré mémoire. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-1. Remarque: plage de température industrielle

Circuit intégré mémoire. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-1. Remarque: plage de température commerciale

Circuit intégré mémoire. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSOP-2. Remarque: plage de température commerciale

Circuit intégré mémoire. Remarque: SRAM. Nombre de connexions: 28. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Taille mémoire: 2kb. Interface: I2C. Temps d'accès: 900ns. Tension d'alimentation: 2.5-5.5V. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8

Circuit intégré mémoire. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: PLCC. Boîtier (selon fiche technique): PLCC-32. Remarque: CMOS OTP. Nombre de connexions: 32

Circuit intégré mémoire. Fonction: OTP-EPROM. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: PLCC. Boîtier (selon fiche technique): PLCC-32. Température de fonctionnement: 0...+70°C. VCC: 5V. Remarque: 256 Kbit (32Kb × 8). Nombre de connexions: 32

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 12. Remarque: 64kbit TIMEKEEPER SRAM 5V 10%. Remarque: batterie/quartz. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28. VCC: 4.75...5.5V. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.75V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 12. Date de production: 2015/03. Remarque: 64kbit TIMEKEEPER SRAM 5V 10%. Remarque: batterie/quartz. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28. VCC: 4.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Famille de circuits mémoire: M48Z. Taille de la mémoire [octet]: 2 KByte. Configuration de la mémoire: 2K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Tension d'alimentation mini (V): +4.75V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Fonction: oui. Nombre de connexions: 24. Mémoire RAM: SRAM 16Kbit (2Kx8). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Température de fonctionnement: 0...+70°C. VCC: 4.75...5.5V

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Taille de la mémoire [octet]: 8 KByte. Configuration de la mémoire: 8K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 12. Remarque: soudure sur circuit imprimé. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Nombre de connexions: 28. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. VCC: 4.5-5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: Vcc 4.5V...5.5V. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Boîtier (selon fiche technique): PC DIP-28

Circuit intégré mémoire. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Série: 93C76. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Fréquence de fonctionnement: 2 MHz. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension d'alimentation (op): 2.5...5.5V. Spec info: interface SPI

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Longueur d'onde (dominante): Circuit intégré de mémoire EEPROM. Equivalences: M95320-WMN6TP. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: 32-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC

Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC

Circuit intégré mémoire. Fonction: +12V, 30mA-output, chargepump DC-DC converter. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: 0...+70°C. Remarque: tension d'entrée 4.5V...5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: TV ULTRAVOX. Remarque: MEMORY

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 28. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28 ( 300mil )

Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire FLASH à accès série. CMOS. Nombre de connexions: 8. Dimensions: 4.9x3.9mm. Signal d'horloge: 86 MHz. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP8L (150mil). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V

Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire FLASH à accès série. CMOS. Nombre de connexions: 8. Dimensions: 5.23x5.28mm. Signal d'horloge: 86 MHz. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP8L (200mil). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V