Mémoires divers

Circuit intégré mémoire. Equivalences: M93C86-WMN6TP. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5-5.5V. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5-5.5V, 93LC46A/ISN. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5-5.5V. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5-5.5V. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: SONY SLVX711. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Circuit intégré mémoire. Remarque: Mémoire Flash CMOS. Nombre de connexions: 32. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier (selon fiche technique): TS-32. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: Mémoire Flash CMOS. Nombre de connexions: 32. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: PLCC. Boîtier (selon fiche technique): PLCC-32. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: mémoire 64kbits. Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28. Température de fonctionnement: 0...+70°C. VCC: 2.7...5.5V

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 28. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Fonction: I2C-Compatible (2seire) Serial EEPROM. Remarque: 1000000 Cycles (25°C, Page Mode, 3.3V). Remarque: fSCL--1.7V 400KHz, 2.5-5.5V 1MHz. Remarque: conserve les données pendant 40 ans. Marquage sur le boîtier: 2DC. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8 ( 8S1 ). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 1.7...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6.25V

Circuit intégré mémoire. Fonction: I2C-Compatible (2seire) Serial EEPROM. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: 64kx8bit I2C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8 ( 8S1 ). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 1.7...3.6V

Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire EEPROM 16Kbit. Remarque: high speed clock. Remarque: 4.5V...5.5V max 20MHz. Remarque: 2.5V...5.5V max 10MHz. Remarque: 1.8V...5.5V, 5MHz max. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: 1.000.000 cycles d'écriture, rétention de données 100 ans . Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+125°C. VCC: 1.8...5.5V

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FLASH - NOR. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: 900ns. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Fonction: OTP-EPROM. Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28, 28P6 (RM-15.24mm). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FLASH - NOR. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: 200ns. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Mémoire FLASH. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8-208mil. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de mémoire: Flash, série. Famille de circuits mémoire: 'DataFlash'. Taille de la mémoire [octet]: 16Mbit. Configuration de la mémoire: 4096 page x 528 byte. Signal d'horloge max (MHz): 85 MHz. Type d'interface: interface série, bus SPI. Tension d'alimentation mini (V): +2.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +3.6V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

ROHS: Oui. Boîtier: SO8, SOL8. Montage/installation: SMD. Tension de fonctionnement: 2.7V. Type de circuit intégré: Mémoire. Type de mémoire: mémoire 'FLASH'. Organisation de la mémoire: 4Mx8bit. Fréquence d'horloge: 66MHz. Capacité mémoire: 32Mbit

Circuit intégré mémoire. Série: n/a. Type de mémoire: FLASH - NOR. Interface: SPI. Fréquence d'horloge: n/a. Temps d'accès: 200ns. Temps de cycle d'écriture: n/a. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Marquage sur le boîtier: 93C46P. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. VCC: 1.8...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: 16kb CMOS Serial EEPROM, Cascadable. Marquage sur le boîtier: 24C164LI. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -65...+150°C. VCC: 1.8...5.5V