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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers

Mémoires divers

152 produits disponibles
Produits par page :
Quantité en stock : 2
M48Z58Y-70PC1

M48Z58Y-70PC1

Circuit intégré mémoire. Remarque: Vcc 4.5V...5.5V. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Boîtier (selon fich...
M48Z58Y-70PC1
Circuit intégré mémoire. Remarque: Vcc 4.5V...5.5V. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Boîtier (selon fiche technique): PC DIP-28
M48Z58Y-70PC1
Circuit intégré mémoire. Remarque: Vcc 4.5V...5.5V. Remarque: 64Kbit (8Kx8). Boîtier (selon fiche technique): PC DIP-28
Lot de 1
19.37fr TTC
(17.92fr HT)
19.37fr
Quantité en stock : 1
M50761-443P

M50761-443P

Circuit intégré mémoire. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé...
M50761-443P
Circuit intégré mémoire. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
M50761-443P
Circuit intégré mémoire. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
Lot de 1
13.85fr TTC
(12.81fr HT)
13.85fr
Quantité en stock : 15
M93C76-WMN6TP

M93C76-WMN6TP

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Spec info: interface SPI. Montage/installation:...
M93C76-WMN6TP
Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Spec info: interface SPI. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Série: 93C76. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Fréquence de fonctionnement: 2 MHz. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension d'alimentation (op): 2.5...5.5V
M93C76-WMN6TP
Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Spec info: interface SPI. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Série: 93C76. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Fréquence de fonctionnement: 2 MHz. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension d'alimentation (op): 2.5...5.5V
Lot de 1
0.70fr TTC
(0.65fr HT)
0.70fr
Quantité en stock : 99
M95320-WMN6P

M95320-WMN6P

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Lo...
M95320-WMN6P
Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Longueur d'onde (dominante): Circuit intégré de mémoire EEPROM. Equivalences: M95320-WMN6TP. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: 32-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V
M95320-WMN6P
Circuit intégré mémoire. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Longueur d'onde (dominante): Circuit intégré de mémoire EEPROM. Equivalences: M95320-WMN6TP. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: 32-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V
Lot de 1
0.72fr TTC
(0.67fr HT)
0.72fr
Quantité en stock : 1
MAB8051AH-PP086

MAB8051AH-PP086

Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC...
MAB8051AH-PP086
Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC
MAB8051AH-PP086
Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC
Lot de 1
34.36fr TTC
(31.79fr HT)
34.36fr
Quantité en stock : 6
MAB8410PB012

MAB8410PB012

Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC...
MAB8410PB012
Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC
MAB8410PB012
Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC
Lot de 1
15.51fr TTC
(14.35fr HT)
15.51fr
Quantité en stock : 7
MAX662ACPA

MAX662ACPA

Circuit intégré mémoire. Fonction: +12V, 30mA-output, chargepump DC-DC converter. Remarque: tensi...
MAX662ACPA
Circuit intégré mémoire. Fonction: +12V, 30mA-output, chargepump DC-DC converter. Remarque: tension d'entrée 4.5V...5V. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: 0...+70°C
MAX662ACPA
Circuit intégré mémoire. Fonction: +12V, 30mA-output, chargepump DC-DC converter. Remarque: tension d'entrée 4.5V...5V. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: 0...+70°C
Lot de 1
6.37fr TTC
(5.89fr HT)
6.37fr
Quantité en stock : 8
MCM2802P

MCM2802P

Circuit intégré mémoire. Remarque: MEMORY. Remarque: TV ULTRAVOX...
MCM2802P
Circuit intégré mémoire. Remarque: MEMORY. Remarque: TV ULTRAVOX
MCM2802P
Circuit intégré mémoire. Remarque: MEMORY. Remarque: TV ULTRAVOX
Lot de 1
11.89fr TTC
(11.00fr HT)
11.89fr
Quantité en stock : 100
MX25L4006EM1I-12G

MX25L4006EM1I-12G

Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire FLASH à accès série. CMOS. Nombre de connexions: 8...
MX25L4006EM1I-12G
Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire FLASH à accès série. CMOS. Nombre de connexions: 8. Dimensions: 4.9x3.9mm. Signal d'horloge: 86 MHz. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP8L (150mil). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V
MX25L4006EM1I-12G
Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire FLASH à accès série. CMOS. Nombre de connexions: 8. Dimensions: 4.9x3.9mm. Signal d'horloge: 86 MHz. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP8L (150mil). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V
Lot de 1
1.39fr TTC
(1.29fr HT)
1.39fr
Quantité en stock : 75
MX25L4006EM2I-12G-TUBE

MX25L4006EM2I-12G-TUBE

Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire FLASH à accès série. CMOS. Nombre de connexions: 8...
MX25L4006EM2I-12G-TUBE
Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire FLASH à accès série. CMOS. Nombre de connexions: 8. Dimensions: 5.23x5.28mm. Signal d'horloge: 86 MHz. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP8L (200mil). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V
MX25L4006EM2I-12G-TUBE
Circuit intégré mémoire. Fonction: Mémoire FLASH à accès série. CMOS. Nombre de connexions: 8. Dimensions: 5.23x5.28mm. Signal d'horloge: 86 MHz. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP8L (200mil). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V
Lot de 1
1.50fr TTC
(1.39fr HT)
1.50fr
Quantité en stock : 11
NVM3060

NVM3060

Circuit intégré mémoire. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier...
NVM3060
Circuit intégré mémoire. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
NVM3060
Circuit intégré mémoire. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
Lot de 1
4.69fr TTC
(4.34fr HT)
4.69fr
Quantité en stock : 125
PCA9536D

PCA9536D

Circuit intégré mémoire. Fonction: spec. Nombre de connexions: 8. Boîtier: SO. Boîtier (selon f...
PCA9536D
Circuit intégré mémoire. Fonction: spec. Nombre de connexions: 8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOIC-8
PCA9536D
Circuit intégré mémoire. Fonction: spec. Nombre de connexions: 8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOIC-8
Lot de 1
3.39fr TTC
(3.14fr HT)
3.39fr
Quantité en stock : 14
PCD8572

PCD8572

Circuit intégré mémoire. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8...
PCD8572
Circuit intégré mémoire. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
PCD8572
Circuit intégré mémoire. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
Lot de 1
1.28fr TTC
(1.18fr HT)
1.28fr
Quantité en stock : 12
PCF8583P

PCF8583P

Circuit intégré mémoire. Fonction: circuit périphérique horloge, calendrier, signal, circuit RT...
PCF8583P
Circuit intégré mémoire. Fonction: circuit périphérique horloge, calendrier, signal, circuit RTC. Remarque: 12&24h. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
PCF8583P
Circuit intégré mémoire. Fonction: circuit périphérique horloge, calendrier, signal, circuit RTC. Remarque: 12&24h. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
Lot de 1
7.97fr TTC
(7.37fr HT)
7.97fr
Quantité en stock : 49
PCF8583T

PCF8583T

Circuit intégré mémoire. Fonction: circuit périphérique horloge, calendrier, signal, circuit RT...
PCF8583T
Circuit intégré mémoire. Fonction: circuit périphérique horloge, calendrier, signal, circuit RTC. Remarque: 12&24h. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8
PCF8583T
Circuit intégré mémoire. Fonction: circuit périphérique horloge, calendrier, signal, circuit RTC. Remarque: 12&24h. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8
Lot de 1
4.25fr TTC
(3.93fr HT)
4.25fr
En rupture de stock
PCF8594C-2P

PCF8594C-2P

Circuit intégré mémoire. Remarque: VDD 2.5V...6V...
PCF8594C-2P
Circuit intégré mémoire. Remarque: VDD 2.5V...6V
PCF8594C-2P
Circuit intégré mémoire. Remarque: VDD 2.5V...6V
Lot de 1
5.56fr TTC
(5.14fr HT)
5.56fr
Quantité en stock : 25
S29GL128P90FFIR20

S29GL128P90FFIR20

Circuit intégré mémoire. Courant maxi: 110mA. Remarque: lowest address sector protected. Remarque...
S29GL128P90FFIR20
Circuit intégré mémoire. Courant maxi: 110mA. Remarque: lowest address sector protected. Remarque: Page Mode Flash Memory featuring. Nombre de connexions: 64. Dimensions: 11x13mm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Technologie de traitement MirrorBit. Boîtier: BGA. Boîtier (selon fiche technique): 'LAA064 Fortified Ball Grid Array'. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...+3.6V. Tension d'alimentation (op): 4 v
S29GL128P90FFIR20
Circuit intégré mémoire. Courant maxi: 110mA. Remarque: lowest address sector protected. Remarque: Page Mode Flash Memory featuring. Nombre de connexions: 64. Dimensions: 11x13mm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Technologie de traitement MirrorBit. Boîtier: BGA. Boîtier (selon fiche technique): 'LAA064 Fortified Ball Grid Array'. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.7...+3.6V. Tension d'alimentation (op): 4 v
Lot de 1
15.44fr TTC
(14.28fr HT)
15.44fr
En rupture de stock
SAB8051AP

SAB8051AP

Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC...
SAB8051AP
Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC
SAB8051AP
Circuit intégré mémoire. Remarque: uC-IC
Lot de 1
17.29fr TTC
(15.99fr HT)
17.29fr
Quantité en stock : 54
ST24LC21B

ST24LC21B

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5V...5.5V. Remarque: Dual Mode Serial Eeprom. Nombre de conn...
ST24LC21B
Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5V...5.5V. Remarque: Dual Mode Serial Eeprom. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
ST24LC21B
Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5V...5.5V. Remarque: Dual Mode Serial Eeprom. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
Lot de 1
1.86fr TTC
(1.72fr HT)
1.86fr
Quantité en stock : 9
TC89101P

TC89101P

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour c...
TC89101P
Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
TC89101P
Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8
Lot de 1
3.44fr TTC
(3.18fr HT)
3.44fr
Quantité en stock : 79
UPD41264C-12

UPD41264C-12

Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: ...
UPD41264C-12
Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP24S. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 24. Type de mémoire: Dualport RAM. Famille de circuits mémoire: uPD41. Taille de la mémoire [octet]: 256 Kbit. Configuration de la mémoire: 256K x 1-bit. Signal d'horloge max (MHz): 120ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C
UPD41264C-12
Circuit intégré mémoire. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP24S. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 24. Type de mémoire: Dualport RAM. Famille de circuits mémoire: uPD41. Taille de la mémoire [octet]: 256 Kbit. Configuration de la mémoire: 256K x 1-bit. Signal d'horloge max (MHz): 120ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C
Lot de 1
1.52fr TTC
(1.41fr HT)
1.52fr
Quantité en stock : 1300
W25Q16JVSSIM-TR

W25Q16JVSSIM-TR

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cy...
W25Q16JVSSIM-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
W25Q16JVSSIM-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
Lot de 1
1.18fr TTC
(1.09fr HT)
1.18fr
Quantité en stock : 1962
W25Q16JVSSIQ-TR

W25Q16JVSSIQ-TR

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cy...
W25Q16JVSSIQ-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
W25Q16JVSSIQ-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
Lot de 1
1.17fr TTC
(1.08fr HT)
1.17fr
Quantité en stock : 1988
W25Q32JVSSIM-TR

W25Q32JVSSIM-TR

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cy...
W25Q32JVSSIM-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
W25Q32JVSSIM-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
Lot de 1
1.44fr TTC
(1.33fr HT)
1.44fr
Quantité en stock : 990
W25Q64JVSSIM-TR

W25Q64JVSSIM-TR

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cy...
W25Q64JVSSIM-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
W25Q64JVSSIM-TR
Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: FLASH - NOR. Fréquence d'horloge: 133MHz. Temps de cycle d'écriture: 3ms. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD
Lot de 1
1.98fr TTC
(1.83fr HT)
1.98fr

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