Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.43fr | 0.46fr |
5 - 9 | 0.41fr | 0.44fr |
10 - 24 | 0.38fr | 0.41fr |
25 - 49 | 0.38fr | 0.41fr |
50 - 99 | 0.32fr | 0.35fr |
100 - 149 | 0.26fr | 0.28fr |
150 - 411 | 0.24fr | 0.26fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.43fr | 0.46fr |
5 - 9 | 0.41fr | 0.44fr |
10 - 24 | 0.38fr | 0.41fr |
25 - 49 | 0.38fr | 0.41fr |
50 - 99 | 0.32fr | 0.35fr |
100 - 149 | 0.26fr | 0.28fr |
150 - 411 | 0.24fr | 0.26fr |
Diode, 100V, 0.15A, 0.45A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35 - 1N4448. Diode, 100V, 0.15A, 0.45A, DO-35 ( SOD27 ), DO-35. VRRM: 100V. IF(AV): 0.15A. IFSM: 0.45A. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. RoHS: oui. Tension de seuil Vf (max): 1V. Cj: 4pF. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 5uA. IRM (min): 25nA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Produit d'origine constructeur Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.
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