Diode 40HF10
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 9.85fr | 10.65fr |
| 2 - 2 | 9.36fr | 10.12fr |
| 3 - 4 | 8.87fr | 9.59fr |
| 5 - 9 | 8.37fr | 9.05fr |
| 10 - 14 | 8.18fr | 8.84fr |
| 15 - 19 | 7.98fr | 8.63fr |
| 20+ | 7.68fr | 8.30fr |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 9.85fr | 10.65fr |
| 2 - 2 | 9.36fr | 10.12fr |
| 3 - 4 | 8.87fr | 9.59fr |
| 5 - 9 | 8.37fr | 9.05fr |
| 10 - 14 | 8.18fr | 8.84fr |
| 15 - 19 | 7.98fr | 8.63fr |
| 20+ | 7.68fr | 8.30fr |
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Diode 40HF10. Diode. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB ( DO-5 ). VRRM: 100V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 20:25.
Produits équivalents :
40HF40
Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisatio...
Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)
Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IF(AV): 40A. IF(RMS): 62A. IFSM: 570A. IRM (max): 9mA. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+190°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Remarque: filetage M6. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)
Nous vous recommandons aussi :
70HF80
Diode. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtie...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
SB3200
Diode. Cj: 175pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
1N5408
Diode. Cj: 40pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-condu...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
1N5349B
Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipati...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
DF20LC30
Diode. Cj: 90pF. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 30 ns. Matériau semi-c...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
70HFR80
Diode. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtie...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
1N4149
Diode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 500mA. IFSM: 1A. IRM (ma...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
BYP35A6
Diode. Diamètre: 12.75mm. Cj: 250pF. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Trr Di...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
234-0-0R68
Résistance, 0.68 Ohms, 0.7W. Résistance: 0.68 Ohms. Puissance: 0.7W. Type de résistance: Couche m...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
40HF120
Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Utilisatio...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.