Quantité (Lot de 5) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 2 | 0.44fr | 0.48fr |
3 - 4 | 0.41fr | 0.44fr |
5 - 9 | 0.39fr | 0.42fr |
10 - 19 | 0.37fr | 0.40fr |
20 - 49 | 0.35fr | 0.38fr |
50 - 99 | 0.33fr | 0.36fr |
100 - 4896 | 0.31fr | 0.34fr |
Quantité (Lot de 5) | U.P | |
---|---|---|
1 - 2 | 0.44fr | 0.48fr |
3 - 4 | 0.41fr | 0.44fr |
5 - 9 | 0.39fr | 0.42fr |
10 - 19 | 0.37fr | 0.40fr |
20 - 49 | 0.35fr | 0.38fr |
50 - 99 | 0.33fr | 0.36fr |
100 - 4896 | 0.31fr | 0.34fr |
Diode 1N5408. Diode. Cj: 40pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.
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