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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode BY500-200

Diode BY500-200
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25 - 49 0.16fr 0.17fr
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Diode BY500-200. Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. IRM (max): 10uA. IRM (min): uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Température de fonctionnement: -50°C...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

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Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. IRM (max): 10uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. IRM (max): 10uA. IRM (min): 220A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. IRM (max): 10uA. IRM (min): 220A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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