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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode, 200V, 8A, 100A, TO-220, TO-220 - BYV32E-200

Diode, 200V, 8A, 100A, TO-220, TO-220 - BYV32E-200
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1 - 4 1.90fr 2.05fr
5 - 9 1.80fr 1.95fr
10 - 24 1.75fr 1.89fr
25 - 49 1.71fr 1.85fr
50 - 99 1.67fr 1.81fr
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Diode, 200V, 8A, 100A, TO-220, TO-220 - BYV32E-200. Diode, 200V, 8A, 100A, TO-220, TO-220. VRRM: 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. Remarque: cathode commune. Marquage sur le boîtier: BYV32-200. Equivalences: BYV32-200G, BYV32-200-E3/45. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100A t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.01V. Tension de seuil Vf (min): 0.74V. Produit d'origine constructeur Ween Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

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Produits équivalents :

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MUR1620CT

MUR1620CT

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon f...
MUR1620CT
Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IRM (max): 250uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V
MUR1620CT
Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IRM (max): 250uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V
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MUR1660CT

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Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon f...
MUR1660CT
Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. Remarque: cathode commune. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V
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Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. Remarque: cathode commune. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V
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BYV32E-200

BYV32E-200

Diode, 200V, 8A, 100A, TO-220, TO-220. VRRM: 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtie...
BYV32E-200
Diode, 200V, 8A, 100A, TO-220, TO-220. VRRM: 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. Remarque: cathode commune. Marquage sur le boîtier: BYV32-200. Equivalences: BYV32-200G, BYV32-200-E3/45. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100A t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.01V. Tension de seuil Vf (min): 0.74V
BYV32E-200
Diode, 200V, 8A, 100A, TO-220, TO-220. VRRM: 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. Remarque: cathode commune. Marquage sur le boîtier: BYV32-200. Equivalences: BYV32-200G, BYV32-200-E3/45. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100A t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.01V. Tension de seuil Vf (min): 0.74V
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