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Diode BYV32E-200

Diode BYV32E-200
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Diode BYV32E-200. Diode. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. IF(AV): 10A. IFSM: 125A. Marquage sur le boîtier: BYV32E-200. Equivalences: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): SOT78 (TO-220AB). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.

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