Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.55fr | 1.68fr |
5 - 9 | 1.52fr | 1.64fr |
10 - 24 | 1.38fr | 1.49fr |
25 - 49 | 1.24fr | 1.34fr |
50 - 99 | 1.21fr | 1.31fr |
100 - 249 | 1.07fr | 1.16fr |
250 - 519 | 1.03fr | 1.11fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.55fr | 1.68fr |
5 - 9 | 1.52fr | 1.64fr |
10 - 24 | 1.38fr | 1.49fr |
25 - 49 | 1.24fr | 1.34fr |
50 - 99 | 1.21fr | 1.31fr |
100 - 249 | 1.07fr | 1.16fr |
250 - 519 | 1.03fr | 1.11fr |
Diode, 12.7A, 150A, TO-220, TO-220-2, 200V - BYV79E-200. Diode, 12.7A, 150A, TO-220, TO-220-2, 200V. IF(AV): 12.7A. IFSM: 150A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-2. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra rapide. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.83V. Produit d'origine constructeur Nexperia. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 03:25.
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