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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor IRFP460

Transistor IRFP460
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Quantité HT TTC
1 - 1 5.69fr 6.15fr
2 - 2 5.40fr 5.84fr
3 - 4 5.12fr 5.53fr
5 - 9 4.83fr 5.22fr
10 - 19 4.72fr 5.10fr
20 - 29 4.61fr 4.98fr
30 - 106 4.44fr 4.80fr
Quantité U.P
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Lot de 1

Transistor IRFP460. Transistor. C (in): 4200pF. C (out): 870pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 280W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.

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Produits équivalents :

En rupture de stock
2SK1170

2SK1170

Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quanti...
2SK1170
Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protection G-S: oui
2SK1170
Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 780pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 80A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.27 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 32 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Protection G-S: oui
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10.95fr TTC
(10.13fr HT)
10.95fr

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